casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGLQ30H65T3G
Número da peça de fabricante | APTGLQ30H65T3G |
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Número da peça futura | FT-APTGLQ30H65T3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APTGLQ30H65T3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Full Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 40A |
Potência - Max | 95W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 1.9nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGLQ30H65T3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTGLQ30H65T3G-FT |
IFS150B12N3E4PB50BPSA1
Infineon Technologies
IFS150B17N3E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FF300R12KT3HOSA1
Infineon Technologies
DDB6U134N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
F4-50R07W2H3_B51
Infineon Technologies
FD600R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FD800R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF600R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KP4B2NOSA2
Infineon Technologies
FF900R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation