casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT20M22LVRG
Número da peça de fabricante | APT20M22LVRG |
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Número da peça futura | FT-APT20M22LVRG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWER MOS V® |
APT20M22LVRG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 435nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 520W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-264 [L] |
Pacote / caso | TO-264-3, TO-264AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT20M22LVRG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT20M22LVRG-FT |
PMV75UP,215
Nexperia USA Inc.
2N7002E,215
Nexperia USA Inc.
2N7002F,215
Nexperia USA Inc.
BSH103,235
Nexperia USA Inc.
BSH105,215
Nexperia USA Inc.
BSH105,235
Nexperia USA Inc.
BSH108,215
Nexperia USA Inc.
BSH111,215
Nexperia USA Inc.
BSH111,235
Nexperia USA Inc.
BSN20,215
Nexperia USA Inc.