casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSH111,235
Número da peça de fabricante | BSH111,235 |
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Número da peça futura | FT-BSH111,235 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMOS™ |
BSH111,235 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 335mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 8V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 830mW (Tc) |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSH111,235 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSH111,235-FT |
PSMN009-100B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN012-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN015-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN016-100BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN030-150B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-30BLEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN1R8-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN2R7-30BL,118
Nexperia USA Inc.
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel