casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N7002E,215
Número da peça de fabricante | 2N7002E,215 |
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Número da peça futura | FT-2N7002E,215 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMOS™ |
2N7002E,215 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 385mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.69nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 830mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002E,215 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N7002E,215-FT |
PHB96NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PSMN003-30B,118
NXP USA Inc.
PSMN004-36B,118
NXP USA Inc.
PSMN004-60B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN005-55B,118
NXP USA Inc.
PSMN005-75B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN008-75B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN009-100B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN012-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN015-60BS,118
Nexperia USA Inc.
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel