casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APL1001J
Número da peça de fabricante | APL1001J |
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Número da peça futura | FT-APL1001J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APL1001J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1000V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 520W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOTOP® |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APL1001J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APL1001J-FT |
APT5010B2FLLG
Microsemi Corporation
APT5010B2LLG
Microsemi Corporation
APT94N65B2C3G
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APT43M60B2
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A54SX32A-TQG176M
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M1AFS250-FG256
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APA600-FG676I
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5SGSMD6K1F40C2LN
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EP4SE360H29I3
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5SGXEA7N3F45C2LN
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LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
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EPF10K10LC84-4N
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EP4SGX360HF35I4
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