casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APL602B2G
Número da peça de fabricante | APL602B2G |
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Número da peça futura | FT-APL602B2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APL602B2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 24.5A, 12V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 730W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | T-MAX™ [B2] |
Pacote / caso | TO-247-3 Variant |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APL602B2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APL602B2G-FT |
APT66F60L
Microsemi Corporation
APT84M50L
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M2GL025T-1FCSG325I
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LFE5UM-45F-8BG381C
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EPF10K130EFI484-2
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5SGXEA4K1F35C2N
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ICE40UL1K-CM36AI
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LFXP6C-5Q208C
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5AGXFB3H4F35C5N
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10AX016E3F27I1HG
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