casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT5010B2FLLG
Número da peça de fabricante | APT5010B2FLLG |
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Número da peça futura | FT-APT5010B2FLLG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWER MOS 7® |
APT5010B2FLLG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 520W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | T-MAX™ [B2] |
Pacote / caso | TO-247-3 Variant |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT5010B2FLLG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT5010B2FLLG-FT |
APT34F100L
Microsemi Corporation
APT50M65LFLLG
Microsemi Corporation
APT50M65LLLG
Microsemi Corporation
APT56F60L
Microsemi Corporation
APT66F60L
Microsemi Corporation
APT84M50L
Microsemi Corporation
APT24M120L
Microsemi Corporation
APT56M60L
Microsemi Corporation
APT66M60L
Microsemi Corporation
APT37M100L
Microsemi Corporation