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A2G35S200-01SR3 Image

NXP USA Inc. A2G35S200-01SR3

Número da peça MFG
A2G35S200-01SR3
Quantidade disponível
38160 Peças
Preço de referência
USD 98.748672
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
NXP USA Inc.
Descrição breve
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
A2G35S200-01SR3.pdf
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A2G35S200-01SR3 Especificações

Número da peça de fabricante A2G35S200-01SR3
Número da peça futura FT-A2G35S200-01SR3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
A2G35S200-01SR3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo de transistor LDMOS
Freqüência 3.4GHz ~ 3.6GHz
Ganho 16.1dB
Tensão - Teste 48V
Classificação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 291mA
Potência 180W
Voltagem - Rated 125V
Pacote / caso NI-400S-2S
Pacote de Dispositivo do Fornecedor NI-400S-2S
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2G35S200-01SR3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição A2G35S200-01SR3-FT

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