casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD57070-E
Número da peça de fabricante | PD57070-E |
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Número da peça futura | FT-PD57070-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PD57070-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Freqüência | 945MHz |
Ganho | 14.7dB |
Tensão - Teste | 28V |
Classificação atual | 7A |
Figura de ruído | - |
Atual - teste | 250mA |
Potência | 70W |
Voltagem - Rated | 65V |
Pacote / caso | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD57070-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PD57070-E-FT |
CE3520K3-C1
CEL
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
NE5550234-AZ
CEL
NE5550234-T1-AZ
CEL
VMMK-1218-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1218-TR1G
Broadcom Limited
VMMK-1225-BLKG
Broadcom Limited
EP2C5T144C7
Intel
A1415A-1PQG100M
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
EPF6010ATC100-2N
Intel
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
LCMXO256C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208C8N
Intel