casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD57070-E
Número da peça de fabricante | PD57070-E |
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Número da peça futura | FT-PD57070-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PD57070-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Freqüência | 945MHz |
Ganho | 14.7dB |
Tensão - Teste | 28V |
Classificação atual | 7A |
Figura de ruído | - |
Atual - teste | 250mA |
Potência | 70W |
Voltagem - Rated | 65V |
Pacote / caso | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD57070-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PD57070-E-FT |
CE3520K3-C1
CEL
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
NE5550234-AZ
CEL
NE5550234-T1-AZ
CEL
VMMK-1218-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1218-TR1G
Broadcom Limited
VMMK-1225-BLKG
Broadcom Limited
LFE2-20E-5Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
M2GL025-VFG256
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6N2F45I3N
Intel
5SGSMD5H1F35C2N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H3F35I4N
Intel