casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010TR-E
Número da peça de fabricante | PD20010TR-E |
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Número da peça futura | FT-PD20010TR-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PD20010TR-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Freqüência | 2GHz |
Ganho | 11dB |
Tensão - Teste | 13.6V |
Classificação atual | 5A |
Figura de ruído | - |
Atual - teste | 150mA |
Potência | 10W |
Voltagem - Rated | 40V |
Pacote / caso | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010TR-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PD20010TR-E-FT |
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
NE5550234-AZ
CEL
NE5550234-T1-AZ
CEL
VMMK-1218-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1218-TR1G
Broadcom Limited
VMMK-1225-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1225-TR1G
Broadcom Limited
XCKU040-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
AX250-1FG256
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-3
Intel
EP3CLS100F484I7
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
LFE3-95E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25FF1020C6N
Intel