casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010TR-E
Número da peça de fabricante | PD20010TR-E |
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Número da peça futura | FT-PD20010TR-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PD20010TR-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Freqüência | 2GHz |
Ganho | 11dB |
Tensão - Teste | 13.6V |
Classificação atual | 5A |
Figura de ruído | - |
Atual - teste | 150mA |
Potência | 10W |
Voltagem - Rated | 40V |
Pacote / caso | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010TR-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PD20010TR-E-FT |
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
NE5550234-AZ
CEL
NE5550234-T1-AZ
CEL
VMMK-1218-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1218-TR1G
Broadcom Limited
VMMK-1225-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1225-TR1G
Broadcom Limited
A1415A-1PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FGG400C
Xilinx Inc.
M2GL005S-VFG256I
Microsemi Corporation
5SGSMD8K2F40I3LN
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
10M04SCE144A7G
Intel
A42MX09-2PLG84I
Microsemi Corporation
5CEFA9U19I7N
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel
10AX115R1F40I1SG
Intel