casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 7164L35TDB
Número da peça de fabricante | 7164L35TDB |
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Número da peça futura | FT-7164L35TDB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
7164L35TDB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 64Kb (8K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 35ns |
Tempo de acesso | 35ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-CDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164L35TDB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 7164L35TDB-FT |
VPM9U1272S6B3PJ1MAE
Viking Technology
VPM9U1272S6B3PJ1MAM
Viking Technology
VPM9U1272S6B3PJ1MAT
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7026L25G
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7133SA45G
IDT, Integrated Device Technology Inc
AT25SL641-SUE-Y
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CY14B116N-BA25XI
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CY14B116N-BA25XIT
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S71VS064RB0AHT4L0
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S71VS064RB0AHT4L3
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XA6SLX75-2FGG484Q
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EP3C16F256I7
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5SGSED6K1F40C2L
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XC7K160T-L2FFG676E
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XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
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LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation