casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / VPM9U1272S6B3PJ1MAT
Número da peça de fabricante | VPM9U1272S6B3PJ1MAT |
---|---|
Número da peça futura | FT-VPM9U1272S6B3PJ1MAT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VPM9U1272S6B3PJ1MAT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | 1.2GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.2V |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VPM9U1272S6B3PJ1MAT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VPM9U1272S6B3PJ1MAT-FT |
BR93G46FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
LE25S161PCTXG
ON Semiconductor
LE25W48AMC-AH
ON Semiconductor
MT29F4G08ABAEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L TR
Micron Technology Inc.
S99FL132KMM41
Cypress Semiconductor Corp
S79FL512SDSMFVG03
Cypress Semiconductor Corp
DS28E10P+
Maxim Integrated
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel