casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / CY14B116N-BA25XI
Número da peça de fabricante | CY14B116N-BA25XI |
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Número da peça futura | FT-CY14B116N-BA25XI |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CY14B116N-BA25XI Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 16Mb (1M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | 25ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 60-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 60-FBGA (10x18) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY14B116N-BA25XI Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CY14B116N-BA25XI-FT |
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L TR
Micron Technology Inc.
S99FL132KMM41
Cypress Semiconductor Corp
S79FL512SDSMFVG03
Cypress Semiconductor Corp
DS28E10P+
Maxim Integrated
S71NS512RD0ZHEUL0
Cypress Semiconductor Corp
MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel