casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SC2812N6-CPA-TB-E
Número da peça de fabricante | 2SC2812N6-CPA-TB-E |
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Número da peça futura | FT-2SC2812N6-CPA-TB-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC2812N6-CPA-TB-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 6V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-CP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC2812N6-CPA-TB-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC2812N6-CPA-TB-E-FT |
CPH3205-M-TL-E
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XC7VX330T-2FF1761C
Xilinx Inc.
LFXP6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation