casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MMBT6427LT1G
Número da peça de fabricante | MMBT6427LT1G |
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Número da peça futura | FT-MMBT6427LT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBT6427LT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500µA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potência - Max | 225mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT6427LT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBT6427LT1G-FT |
MMBTA06LT1G
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MMBT3906LT1G
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BC847BLT1G
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EP2C8T144I8
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XC6SLX75-3CSG484C
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XC3S700A-4FG400I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
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5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
EPF6016QC208-3
Intel