casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MMBT5087LT3G
Número da peça de fabricante | MMBT5087LT3G |
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Número da peça futura | FT-MMBT5087LT3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBT5087LT3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100µA, 5V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 40MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT5087LT3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBT5087LT3G-FT |
SBC817-40LT1G
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EPF10K30EFI256-2
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5SGXEA7K2F35I3LN
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XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-FPLG84
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
10AX090H2F34E1SG
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5AGXFA5H4F35C5N
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10AX022E3F29E1SG
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