casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / 2PS12017E44G35911NOSA1
Número da peça de fabricante | 2PS12017E44G35911NOSA1 |
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Número da peça futura | FT-2PS12017E44G35911NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2PS12017E44G35911NOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | 2160W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 300A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -25°C ~ 55°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2PS12017E44G35911NOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2PS12017E44G35911NOSA1-FT |
CM75TU-12F
Powerex Inc.
CM75TU-24F
Powerex Inc.
CM75TU-34KA
Powerex Inc.
F3L300R12PT4PB26BOSA1
Infineon Technologies
F3L400R12PT4PB26BOSA1
Infineon Technologies
FD600R06ME3S2BOSA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4PBPSA1
Infineon Technologies
DF80R12W2H3_B11
Infineon Technologies
FD-DF80R12W1H3_B52
Infineon Technologies
FD1600/1200R17KF6C_B2
Infineon Technologies
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208I
Microsemi Corporation
MPF500T-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
EP4SGX290NF45I3N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel