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FD-DF80R12W1H3_B52 Image

Infineon Technologies FD-DF80R12W1H3_B52

Número da peça MFG
FD-DF80R12W1H3_B52
Quantidade disponível
96140 Peças
Preço de referência
USD 30.234336
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
- IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - IGBTs - Módulos
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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FD-DF80R12W1H3_B52 Especificações

Número da peça de fabricante FD-DF80R12W1H3_B52
Número da peça futura FT-FD-DF80R12W1H3_B52
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
FD-DF80R12W1H3_B52 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configuração Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) 40A
Potência - Max 215W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Corrente - corte de coletor (máx.) 1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce 235nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de operação -40°C ~ 125°C
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / caso Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor Module
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FD-DF80R12W1H3_B52 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição FD-DF80R12W1H3_B52-FT

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