casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FD600R06ME3S2BOSA1
Número da peça de fabricante | FD600R06ME3S2BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FD600R06ME3S2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FD600R06ME3S2BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600A |
Potência - Max | 2250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 400nA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 60nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD600R06ME3S2BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FD600R06ME3S2BOSA1-FT |
MKI80-06T6K
IXYS
MUBW10-06A6K
IXYS
MUBW10-12A7
IXYS
MUBW100-06A8
IXYS
MUBW15-06A6K
IXYS
MUBW15-06A7
IXYS
MUBW15-12A6K
IXYS
MUBW15-12A7
IXYS
MUBW15-12T7
IXYS
MUBW20-06A6K
IXYS
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel