casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FD600R06ME3S2BOSA1
Número da peça de fabricante | FD600R06ME3S2BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FD600R06ME3S2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FD600R06ME3S2BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600A |
Potência - Max | 2250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 400nA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 60nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD600R06ME3S2BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FD600R06ME3S2BOSA1-FT |
MKI80-06T6K
IXYS
MUBW10-06A6K
IXYS
MUBW10-12A7
IXYS
MUBW100-06A8
IXYS
MUBW15-06A6K
IXYS
MUBW15-06A7
IXYS
MUBW15-12A6K
IXYS
MUBW15-12A7
IXYS
MUBW15-12T7
IXYS
MUBW20-06A6K
IXYS
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel