Número da peça de fabricante | 2N5770 |
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Número da peça futura | FT-2N5770 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N5770 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Freqüência - Transição | 900MHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
Ganho | - |
Potência - Max | 625mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 8mA, 1V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5770 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N5770-FT |
BFG135AE6327XT
Infineon Technologies
BFR 181T E6327
Infineon Technologies
BFR 182T E6327
Infineon Technologies
BFR 183T E6327
Infineon Technologies
BFR 340T E6327
Infineon Technologies
BFR 360T E6327
Infineon Technologies
BFR 380T E6327
Infineon Technologies
BFR 949T E6327
Infineon Technologies
MMBTH10-7
Diodes Incorporated
MMBTH24-7
Diodes Incorporated
XC7A15T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL025-1VF400I
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C7
Intel
EPF10K100EFC484-1X
Intel
5SGXEA4H2F35C3N
Intel
LCMXO3LF-4300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP4SGX230FF35C2XN
Intel