casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH10-7
Número da peça de fabricante | MMBTH10-7 |
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Número da peça futura | FT-MMBTH10-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBTH10-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Freqüência - Transição | 650MHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 300mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBTH10-7-FT |
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
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SD1127
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CEL
2SC5007-A
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CEL
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