casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFG135AE6327XT
Número da peça de fabricante | BFG135AE6327XT |
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Número da peça futura | FT-BFG135AE6327XT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BFG135AE6327XT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Freqüência - Transição | 6GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Ganho | 9dB ~ 14dB |
Potência - Max | 1W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 8V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT223-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG135AE6327XT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BFG135AE6327XT-FT |
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7N
Intel
10AX022E3F27E2SG
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EPF6016QI208-3
Intel