casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFG135AE6327XT
Número da peça de fabricante | BFG135AE6327XT |
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Número da peça futura | FT-BFG135AE6327XT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BFG135AE6327XT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Freqüência - Transição | 6GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Ganho | 9dB ~ 14dB |
Potência - Max | 1W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 8V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT223-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG135AE6327XT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BFG135AE6327XT-FT |
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FG144
Microsemi Corporation
A1010B-2PLG68C
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27C7N
Intel
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGSED8N1F45I2N
Intel
5SGSED8N3F45I3N
Intel
5SGXEA9K2H40C3N
Intel
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C7N
Intel
5AGTMD3G3F31I3N
Intel