casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - JFETs / 2N5457_D26Z
Número da peça de fabricante | 2N5457_D26Z |
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Número da peça futura | FT-2N5457_D26Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N5457_D26Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) | 25V |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1mA @ 15V |
Dreno atual (Id) - Max | - |
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | 500mV @ 10nA |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
Resistência - RDS (On) | - |
Potência - Max | 625mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5457_D26Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N5457_D26Z-FT |
J105
ON Semiconductor
J113
ON Semiconductor
J112
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J109
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J107
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J106
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J111
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EP3CLS70F484I7N
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EP4CE6F17C8LN
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EP4SGX360FH29C3
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M1AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
10AX027E2F29E1SG
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