Número da peça de fabricante | 1N1190 |
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Número da peça futura | FT-1N1190 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N1190 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 35A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 190°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1190 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N1190-FT |
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor
GB01SLT12-252
GeneSiC Semiconductor
GB01SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GB05SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GB10SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GAP3SLT33-220FP
GeneSiC Semiconductor
GAP05SLT80-220
GeneSiC Semiconductor
FR85GR02
GeneSiC Semiconductor
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel