casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / GAP05SLT80-220
Número da peça de fabricante | GAP05SLT80-220 |
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Número da peça futura | FT-GAP05SLT80-220 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GAP05SLT80-220 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 8000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 50mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 4.6V @ 50mA |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3.8µA @ 8000V |
Capacitância @ Vr, F | 25pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GAP05SLT80-220 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GAP05SLT80-220-FT |
MBRH120100
GeneSiC Semiconductor
MBRH120100R
GeneSiC Semiconductor
MBRH120150
GeneSiC Semiconductor
MBRH120150R
GeneSiC Semiconductor
MBRH12020
GeneSiC Semiconductor
MBRH120200
GeneSiC Semiconductor
MBRH120200R
GeneSiC Semiconductor
MBRH12020R
GeneSiC Semiconductor
MBRH12030
GeneSiC Semiconductor
MBRH12030R
GeneSiC Semiconductor
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel