casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / GB01SLT12-220
Número da peça de fabricante | GB01SLT12-220 |
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Número da peça futura | FT-GB01SLT12-220 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GB01SLT12-220 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 1A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 2µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | 69pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB01SLT12-220 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GB01SLT12-220-FT |
GB02SLT12-252
GeneSiC Semiconductor
GB10SLT12-252
GeneSiC Semiconductor
MBRH20045R
GeneSiC Semiconductor
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MBRH120100R
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MBRH120150R
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MBRH12020
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XC4005XL-3PQ100C
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XA3SD1800A-4CSG484Q
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Microsemi Corporation
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EP4CE115F23C9L
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EP3SE80F1152C3
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EP2SGX30CF780C5N
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EP4SGX230FF35C4N
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