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Diodes Incorporated ZXMNS3BM832TA

Número da peça MFG
ZXMNS3BM832TA
Quantidade disponível
94460 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Diodes Incorporated
Descrição breve
- MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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ZXMNS3BM832TA Especificações

Número da peça de fabricante ZXMNS3BM832TA
Número da peça futura FT-ZXMNS3BM832TA
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
ZXMNS3BM832TA Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 314pF @ 15V
Recurso FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) 1W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-MLP, MicroFET (3x2)
Pacote / caso 8-VDFN Exposed Pad
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMNS3BM832TA Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição ZXMNS3BM832TA-FT

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