casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W632GU8AB-15
Número da peça de fabricante | W632GU8AB-15 |
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Número da peça futura | FT-W632GU8AB-15 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W632GU8AB-15 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Tamanho da memória | 2Gb (128M x 16) |
Freqüência do relógio | 667MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU8AB-15 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W632GU8AB-15-FT |
W25Q64CVZPJG
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJP
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJP TR
Winbond Electronics
W25Q64FVSCA1
Winbond Electronics
W25Q64FVSCA2
Winbond Electronics
W25Q64FVSCB1
Winbond Electronics
W25Q64FVSH01
Winbond Electronics
W25Q64FVSH02
Winbond Electronics
W25Q64FVSH03
Winbond Electronics
EPF8820ATC144-3
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M2GL025T-1FG484
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5SGXEB6R2F43C2L
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EP4SE360F35C4
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XC5VLX50T-3FF1136C
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XC7K355T-1FFG901C
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EP3CLS100F780I7
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EP1S25F1020I6N
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