casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W632GG6AB-12
Número da peça de fabricante | W632GG6AB-12 |
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Número da peça futura | FT-W632GG6AB-12 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W632GG6AB-12 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Tamanho da memória | 2Gb (128M x 16) |
Freqüência do relógio | 800MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG6AB-12 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W632GG6AB-12-FT |
W25Q32FWBYIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32FWSSIQ
Winbond Electronics
W25Q32FWSSIQ TR
Winbond Electronics
W25Q64CVSSJG
Winbond Electronics
W25Q64CVSSJG TR
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W25Q64CVSSJP
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W25Q64CVSSJP TR
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W25Q64CVZPJG
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W25Q64CVZPJG TR
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W25Q64CVZPJP
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M1AFS600-2FG484
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AGL060V5-VQG100I
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AGLN060V5-VQG100I
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5SGXEA7N2F40C3N
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LCMXO1200E-4M132I
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EP20K400EBC652-2X
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