casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / TH58BYG3S0HBAI6
Número da peça de fabricante | TH58BYG3S0HBAI6 |
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Número da peça futura | FT-TH58BYG3S0HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Benand™ |
TH58BYG3S0HBAI6 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Tamanho da memória | 8Gb (1G x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 67-VFBGA (6.5x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58BYG3S0HBAI6 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TH58BYG3S0HBAI6-FT |
S99GL016A
Cypress Semiconductor Corp
S99GL01GP0609
Cypress Semiconductor Corp
S99GL032AB
Cypress Semiconductor Corp
S99GL032AU
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064AB
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064AU
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064N0019
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064N0030
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064N90TFI060
Cypress Semiconductor Corp
S99GL08GT
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel