casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / HN1B01FU-Y(L,F,T)
Número da peça de fabricante | HN1B01FU-Y(L,F,T) |
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Número da peça futura | FT-HN1B01FU-Y(L,F,T) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HN1B01FU-Y(L,F,T) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 120MHz |
Temperatura de operação | 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | US6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN1B01FU-Y(L,F,T) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HN1B01FU-Y(L,F,T)-FT |
STD845DN40
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