casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FP100R07N3E4BOSA1
Número da peça de fabricante | FP100R07N3E4BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FP100R07N3E4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FP100R07N3E4BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Potência - Max | 335W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 6.2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP100R07N3E4BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FP100R07N3E4BOSA1-FT |
FP150R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4PBPSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4PBPSA1
Infineon Technologies
DDB6U84N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U134N16RRBOSA1
Infineon Technologies
BSM50GP120BOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel