casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GT400TH60N
Número da peça de fabricante | VS-GT400TH60N |
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Número da peça futura | FT-VS-GT400TH60N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GT400TH60N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 530A |
Potência - Max | 1600W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 400A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 30.8nF @ 30V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 8) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GT400TH60N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GT400TH60N-FT |
FS100R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
FS100R12N2T4PBPSA1
Infineon Technologies
FS100R17N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17N3E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FS150R07N3E4BOSA1
Infineon Technologies
FS200R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS200R07N3E4RB11BOSA1
Infineon Technologies
FS200R07N3E4RBOSA1
Infineon Technologies
FS200R12KT4RB11BOSA1
Infineon Technologies
FS25R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
APA750-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
XCS40XL-5BG256C
Xilinx Inc.
XC7S15-1CPGA196I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation