casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS100R17N3E4B11BOSA1
Número da peça de fabricante | FS100R17N3E4B11BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FS100R17N3E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FS100R17N3E4B11BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Potência - Max | 600W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R17N3E4B11BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS100R17N3E4B11BOSA1-FT |
VS-40MT120UHAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
FAM65V05DF1
ON Semiconductor
F3L300R07PE4PBOSA1
Infineon Technologies
F4100R17ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
F4150R17ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
F4250R17MP4B11BPSA1
Infineon Technologies
FF150R12MS4GBOSA1
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FF225R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF225R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation