casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GT300YH120N
Número da peça de fabricante | VS-GT300YH120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GT300YH120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GT300YH120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 341A |
Potência - Max | 1042W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.17V @ 15V, 300A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 300µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 36nF @ 30V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 8) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GT300YH120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GT300YH120N-FT |
FS100R12KT4GB11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
FS100R12N2T4PBPSA1
Infineon Technologies
FS100R17N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17N3E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FS150R07N3E4BOSA1
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FS200R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS200R07N3E4RB11BOSA1
Infineon Technologies
FS200R07N3E4RBOSA1
Infineon Technologies
FS200R12KT4RB11BOSA1
Infineon Technologies
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel