casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VS-20CTQ150STRL-M3
Número da peça de fabricante | VS-20CTQ150STRL-M3 |
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Número da peça futura | FT-VS-20CTQ150STRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
VS-20CTQ150STRL-M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 150V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20CTQ150STRL-M3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-20CTQ150STRL-M3-FT |
VBT3045C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060G-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel