casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VBT3060G-E3/4W
Número da peça de fabricante | VBT3060G-E3/4W |
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Número da peça futura | FT-VBT3060G-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VBT3060G-E3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 730mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 850µA @ 60V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT3060G-E3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VBT3060G-E3/4W-FT |
MBRB2090CT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2090CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2090CT-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10170C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10170C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel