casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VB10170C-E3/4W
Número da peça de fabricante | VB10170C-E3/4W |
---|---|
Número da peça futura | FT-VB10170C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TMBS® |
VB10170C-E3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 170V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.03V @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 90µA @ 170V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB10170C-E3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VB10170C-E3/4W-FT |
VS-16CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30200C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel