casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / CD-DF410S
Número da peça de fabricante | CD-DF410S |
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Número da peça futura | FT-CD-DF410S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CD-DF410S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 4A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Chip, Concave Terminals |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD-DF410S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CD-DF410S-FT |
DF208S-G
Comchip Technology
DF208ST-G
Comchip Technology
GBU2510-G
Comchip Technology
GBU1004-G
Comchip Technology
GBU1010-G
Comchip Technology
GBU1506-G
Comchip Technology
GBU2506-G
Comchip Technology
GBU1510-G
Comchip Technology
GBU808-G
Comchip Technology
GBU10005-G
Comchip Technology
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel