casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VB30120C-E3/8W
Número da peça de fabricante | VB30120C-E3/8W |
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Número da peça futura | FT-VB30120C-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TMBS® |
VB30120C-E3/8W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 970mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 800µA @ 120V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30120C-E3/8W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VB30120C-E3/8W-FT |
VS-20CTH03S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TA60CS-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60CS-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVB32-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60CS-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel