casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYVB32-200-E3/45
Número da peça de fabricante | BYVB32-200-E3/45 |
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Número da peça futura | FT-BYVB32-200-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYVB32-200-E3/45 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 18A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVB32-200-E3/45 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYVB32-200-E3/45-FT |
V20DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM60CLHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
EX64-FTQ100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-2FGG676C
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2LN
Intel
XC7VX690T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FF1148I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I1HG
Intel