casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / UTV8100B
Número da peça de fabricante | UTV8100B |
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Número da peça futura | FT-UTV8100B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UTV8100B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Freqüência - Transição | 470MHz ~ 860MHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | 8.5dB ~ 9.5dB |
Potência - Max | 290W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 15A |
Temperatura de operação | 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | 55RT |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 55RT |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UTV8100B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UTV8100B-FT |
MS3455
Microsemi Corporation
MS3456
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MS652S
Microsemi Corporation
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MSC1175M
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MSC1400M
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MSC1450A
Microsemi Corporation
MSC1450M
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EX64-TQG100A
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XA2S200E-6FT256I
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XC7A35T-3FGG484E
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EP1M120F484C7ES
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5SGXEA7K3F35C4N
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XC7VX330T-2FFG1157C
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LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
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EPF10K50VBC356-3N
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