Número da peça de fabricante | MS652S |
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Número da peça futura | FT-MS652S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MS652S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 16V |
Freqüência - Transição | 450MHz ~ 512MHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | 10dB |
Potência - Max | 25W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 200mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Temperatura de operação | 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | M123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | M123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS652S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MS652S-FT |
MRF555G
Microsemi Corporation
MRF555GT
Microsemi Corporation
MRF559
Microsemi Corporation
MRF559GT
Microsemi Corporation
MRF559T
Microsemi Corporation
MRF5812M
Microsemi Corporation
MRF5812MR1
Microsemi Corporation
MRF5812MR2
Microsemi Corporation
MRF8372MR1
Microsemi Corporation
MRFC544
Microsemi Corporation
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
EP4SE820H35I4
Intel
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9U19C8N
Intel
10AX090H3F34I2SG
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel