casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / US6J11TR
Número da peça de fabricante | US6J11TR |
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Número da peça futura | FT-US6J11TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
US6J11TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 6V |
Potência - Max | 320mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TUMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US6J11TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | US6J11TR-FT |
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
10CX220YF780E5G
Intel
5CGXFC9A6U19I7
Intel
EP3SL110F1152C3
Intel
XC2VP20-7FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3C55F780C7N
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