casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / UNR411200A
Número da peça de fabricante | UNR411200A |
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Número da peça futura | FT-UNR411200A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UNR411200A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 80MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 3-SSIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | NS-B1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR411200A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UNR411200A-FT |
UNR51AEG0L
Panasonic Electronic Components
UNR51ALG0L
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UNR51ATG0L
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LFE2-12E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484
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EPF10K250EFC672-1
Intel
5SGSMD3E2H29I3LN
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5SGSMD4E2H29I3L
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5SGXMA7H2F35C2LN
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EPF10K30EQI208-2N
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