casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / UNR51AVG0L
Número da peça de fabricante | UNR51AVG0L |
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Número da peça futura | FT-UNR51AVG0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UNR51AVG0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 80mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1.5mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 80MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-85 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMini3-F2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR51AVG0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UNR51AVG0L-FT |
DRA5124T0L
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XC3S50-4VQ100I
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Microsemi Corporation
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