casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / UMH2N-TP
Número da peça de fabricante | UMH2N-TP |
---|---|
Número da peça futura | FT-UMH2N-TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UMH2N-TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMH2N-TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UMH2N-TP-FT |
NSVUMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1
ON Semiconductor
UMA4NT1
ON Semiconductor
UMA4NT1G
ON Semiconductor
UMA6NT1
ON Semiconductor
UMC2NT1
ON Semiconductor
UMC2NT1G
ON Semiconductor
PEMH10,115
Nexperia USA Inc.
PEMH15,115
Nexperia USA Inc.
XC6SLX16-2FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
5SGSED6K3F40C2L
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
A42MX09-3PL84
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel