casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM900N06CH X0G
Número da peça de fabricante | TSM900N06CH X0G |
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Número da peça futura | FT-TSM900N06CH X0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TSM900N06CH X0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 25W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-251 (IPAK) |
Pacote / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM900N06CH X0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TSM900N06CH X0G-FT |
TPN14006NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN1600ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN2R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN4R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN5900CNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN6R003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J511NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J501NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J502NU,LF
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XC4005XL-2PQ100I
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XC2VP4-5FG456C
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EPF10K100AFC484-3
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EP4CE10F17C8L
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EP2AGX95DF25C6
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XC6VLX240T-1FF1156C
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XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation