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Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL,LQ

Name: TPN8R903NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN8R903NL,LQ
Price: 0.1972 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (274 reviews)

Número da peça MFG: TPN8R903NL,LQ

Quantidade disponível: 72890 Peças

Preço de referência: USD 0.1972

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 30V 20A TSON

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TPN8R903NL,LQ.pdf

TPN8R903NL,LQ Especificações

Número da peça de fabricante	TPN8R903NL,LQ
Número da peça futura	FT-TPN8R903NL,LQ
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSVIII-H
TPN8R903NL,LQ Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	9.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	820pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	700mW (Ta), 22W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso	8-PowerVDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN8R903NL,LQ Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TPN8R903NL,LQ-FT

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