casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM60N600CH C5G
Número da peça de fabricante | TSM60N600CH C5G |
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Número da peça futura | FT-TSM60N600CH C5G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TSM60N600CH C5G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 743pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 83W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-251 (IPAK) |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM60N600CH C5G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TSM60N600CH C5G-FT |
TPN4R303NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH5R906NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH7R506NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN7R506NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCA8028-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCA8045-H(T2L1,VM
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TPCA8052-H(TE12LQM
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TPH14006NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1400ANH,L1Q
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TPH4R606NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel